Monokrystaliczny SiC Węglik krzemu Podłoże waflowe Dummy Grade Dia153mm 156mm 159mm
Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: | CHINY |
Nazwa handlowa: | ZMKJ |
Orzecznictwo: | ROHS |
Numer modelu: | 6-calowy manekin podłoża SiC |
Zapłata:
Minimalne zamówienie: | 1 szt |
---|---|
Cena: | by case |
Szczegóły pakowania: | pojedynczy pakiet waflowy w 100-stopniowym pomieszczeniu do sprzątania |
Czas dostawy: | 3-6 tygodni |
Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Możliwość Supply: | 1-50 sztuk / miesiąc |
Szczegóły informacji |
|||
Materiał: | Monokrystaliczny węglik krzemu | Twardość: | 9.4 |
---|---|---|---|
Aplikacja: | MOS i SBD | Tolerancja: | ±0,1 mm |
Typ: | 4h-n 4h-pół 6h-pół | Średnica: | 150-160mm |
Grubość: | 0,1-15 mm | Oporność: | 0,015~0,028 O-cm |
High Light: | Monokrystaliczny wafel z węglika krzemu SiC,wafel z węglika krzemu manekina,wafel monokrystaliczny SiC |
opis produktu
6 cali Dia153mm 156mm 159mm Monokrystaliczny SiC Węglik krzemu Wafel Substrat Dummy Grade
Informacje o krysztale węglika krzemu (SiC).
Podłoże z węglika krzemu można podzielić na typ przewodzący i typ półizolujący według rezystywności.Przewodzące urządzenia z węglika krzemu są stosowane głównie w pojazdach elektrycznych, wytwarzaniu energii fotowoltaicznej, transporcie kolejowym, centrach danych, ładowaniu i innej infrastrukturze.Przemysł pojazdów elektrycznych ma ogromne zapotrzebowanie na przewodzące podłoża z węglika krzemu, a obecnie Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng i inne nowe firmy zajmujące się pojazdami energetycznymi planują zastosowanie dyskretnych urządzeń lub modułów z węglika krzemu.
Półizolowane urządzenia z węglika krzemu są stosowane głównie w komunikacji 5G, komunikacji samochodowej, zastosowaniach obrony narodowej, transmisji danych, lotnictwie i innych dziedzinach.Hodując epitaksjalną warstwę azotku galu na półizolowanym podłożu z węglika krzemu, płytkę epitaksjalną z azotku galu na bazie krzemu można dalej przekształcać w mikrofalowe urządzenia RF, które są stosowane głównie w dziedzinie RF, takie jak wzmacniacze mocy w komunikacji 5G i detektory radiowe w obronie narodowej.
Wytwarzanie produktów podłoża z węglika krzemu obejmuje rozwój sprzętu, syntezę surowców, wzrost kryształów, cięcie kryształów, obróbkę płytek, czyszczenie i testowanie oraz wiele innych powiązań.Jeśli chodzi o surowce, przemysł Songshan Boron dostarcza na rynek surowce z węglika krzemu i osiągnął sprzedaż w małych partiach.Materiały półprzewodnikowe trzeciej generacji reprezentowane przez węglik krzemu odgrywają kluczową rolę we współczesnym przemyśle, wraz z przyspieszeniem penetracji nowych pojazdów energetycznych i zastosowań fotowoltaicznych, zapotrzebowanie na podłoże z węglika krzemu wkrótce zapoczątkuje punkt zwrotny
1. Opis
Przedmiot |
Specyfikacje |
|
---|---|---|
Politypia |
4H-SiC |
6H-SiC |
Średnica |
2 cale |3 cale |4 cale |6 cali |
2 cale |3 cale |4 cale |6 cali |
Grubość |
330 μm ~ 350 μm |
330 μm ~ 350 μm |
Przewodność |
N – typ / Półizolujący |
N – typ / Półizolujący |
Domieszka |
N2 ( Azot ) V ( Wanad ) |
N2 ( Azot ) V ( Wanad ) |
Orientacja |
Na osi <0001> |
Na osi <0001> |
Oporność |
0,015 ~ 0,03 oma-cm |
0,02 ~ 0,1 oma-cm |
Gęstość mikrorurek (MPD) |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
TTV |
≤ 15 μm |
≤ 15 μm |
Łuk / Osnowa |
≤25 μm |
≤25 μm |
Powierzchnia |
DSP/SSP |
DSP/SSP |
Stopień |
Klasa produkcyjna / badawcza |
Klasa produkcyjna / badawcza |
Sekwencja układania kryształów |
ABCB |
ABCABC |
Parametr kraty |
a=3,076A, c=10,053A |
a=3,073A, c=15,117A |
Np./eV (pasmo wzbronione) |
3,27 eV |
3,02 eV |
ε(stała dielektryczna) |
9.6 |
9.66 |
Indeks załamania |
n0 =2,719 ne =2,777 |
n0 =2,707, ne =2,755 |
Zastosowanie SiC w przemyśle urządzeń energetycznych
W porównaniu z urządzeniami krzemowymi, urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC) mogą skutecznie osiągnąć wysoką wydajność, miniaturyzację i lekkość układów energoelektronicznych.Straty energii urządzeń zasilających SiC wynoszą tylko 50% urządzeń Si, a wytwarzanie ciepła to tylko 50% urządzeń krzemowych, SiC ma również wyższą gęstość prądu.Przy tym samym poziomie mocy objętość modułów zasilających SiC jest znacznie mniejsza niż modułów zasilających krzemowych.Biorąc za przykład inteligentny moduł zasilania IPM, przy użyciu urządzeń zasilających SiC, objętość modułu można zmniejszyć do 1/3 do 2/3 krzemowych modułów zasilania.
Istnieją trzy rodzaje diod mocy SiC: diody Schottky'ego (SBD), diody PIN i diody Schottky'ego sterowane barierą złącza (JBS).Ze względu na barierę Schottky'ego, SBD ma niższą wysokość bariery złącza, więc SBD ma tę zaletę, że ma niskie napięcie przewodzenia.Pojawienie się SiC SBD rozszerzyło zakres zastosowań SBD z 250 V do 1200 V.Ponadto jego charakterystyka w wysokiej temperaturze jest dobra, wsteczny prąd upływu nie wzrasta od temperatury pokojowej do 175°C. W dziedzinie zastosowań prostowników powyżej 3 kV diody SiC PiN i SiC JBS zyskały dużą uwagę ze względu na ich wyższe napięcie przebicia , większa prędkość przełączania, mniejszy rozmiar i lżejsza waga niż prostowniki krzemowe.
Układy MOSFET mocy SiC mają idealną rezystancję bramki, szybkie przełączanie, niską rezystancję włączenia i wysoką stabilność.Jest preferowanym urządzeniem w zakresie urządzeń zasilających poniżej 300V.Istnieją doniesienia, że udało się opracować tranzystor MOSFET z węglika krzemu o napięciu blokującym 10 kV.Naukowcy uważają, że tranzystory SiC MOSFET zajmą korzystną pozycję w zakresie 3kV - 5kV.
Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką SiC (SiC BJT, SiC IGBT) i tyrystory SiC (tyrystory SiC), urządzenia SiC typu P IGBT z napięciem blokującym 12 kV mają dobrą zdolność prądu przewodzenia.W porównaniu z tranzystorami bipolarnymi Si, tranzystory bipolarne SiC mają 20-50 razy mniejsze straty przełączania i mniejszy spadek napięcia włączania.SiC BJT dzieli się głównie na emiter epitaksjalny BJT i emiter implantacji jonów BJT, typowe wzmocnienie prądu wynosi od 10 do 50.
O firmie ZMKJ
ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości płytki monokrystaliczne SiC (węglik krzemu) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego.Płytka SiC to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, o unikalnych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych, w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs, płytka SiC jest bardziej odpowiednia do zastosowań w urządzeniach o wysokiej temperaturze i dużej mocy.Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowany azotem i dostępny typ półizolacyjny.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.
1--Jaki rozmiar mają płytki SiC?Mamy teraz w magazynie 2 cale 3 cale 4 cale 6 cali 8 cali.
2--Ile kosztuje płytka SiC?Będzie to zależeć od twoich wymagań
3 - Jak grube są płytki z węglika krzemu?Ogólnie rzecz biorąc, grubość płytki SiC wynosi 0,35 i 0,5 mm.Akceptujemy również dostosowane.
4--Jaki jest pożytek z płytki SiC?SBD, MOS i inne
Często zadawane pytania:
P: jaki jest sposób wysyłki i koszt?
Odp.: (1) akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.
(2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i
Fracht to jaN zgodnie z faktycznym rozliczeniem.
P: jak zapłacić?
Odp .: T / T 100% depozytu przed dostawą.
P: Jakie jest twoje MOQ?
Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ to 1 szt.jeśli 2-5 sztuk to lepiej.
(2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk w górę.
P: Jaki jest czas dostawy?
A: (1) Dla produktów standardowych
W przypadku zapasów: czas dostawy wynosi 5 dni roboczych od złożenia zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontakt.
P: Czy masz standardowe produkty?
Odp .: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.