Specyfikacje 6-calowych półizolacyjnych podłoży 4H-SiC o wysokiej czystości
Polerowanie cylindrycznego pustego wafla z węglika krzemu Ceramiczny element optyczny SiC
Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: | Chiny |
Nazwa handlowa: | ZMKJ |
Numer modelu: | bez domieszki dia2x10mmt |
Zapłata:
Minimalne zamówienie: | 10 SZTUK |
---|---|
Cena: | by case |
Szczegóły pakowania: | Plastikowe pudełko i papier izolacyjny |
Czas dostawy: | 2-3 tygodnie |
Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Możliwość Supply: | 1-50 sztuk / miesiąc |
Szczegóły informacji |
|||
Materiał: | Polikrystaliczny węglik krzemu | Twardość: | 9,2-9,6 |
---|---|---|---|
Kształt: | cylindryczny | Tolerancja: | ± 0,1 mm |
Aplikacja: | optyczny | Rodzaj: | wysoka czystość 4h-semi |
Oporność: | >1E7Ω | Kolor: | Ciemno szary |
Powierzchnia: | DSP | ||
High Light: | Pusty wafel z węglika krzemu,polerowany wafel z węglika krzemu,ceramiczny element optyczny SiC |
opis produktu
Domieszkowany 4h-pół wysokiej czystości dostosowany rozmiar Sic ceramiczny pręt kryształowy Średnica soczewki2mm 10mm długościWysoka precyzja 1mm 2mm 3mm 4mm 5mm 6mm 24mm itp. Kulka ceramiczna z węglika krzemu do łożysk Sic Beads Przemysłowe dostosowane czarne płytki ceramiczne z węglika krzemu SiC
Nieruchomość | UfUhni) klasa |Klasa P (Produeben) | Klasa R (Badania) | D (manekinjaGatunek | |
Średnica | 150,0 mmHJ.25 mm | |||
Toczenie powierzchni | 0001} ±0,2. | |||
Podstawowe mieszkanie orientalne | <ll-20>±5,0# | |||
Drugi Kapelusz OrientaUen | N>A | |||
Podstawowa długość płaska | 47,5 mm ±1,5 mm | |||
Druga płaska długość | Nic | |||
WaBrzeg | Ścięcie | |||
Gęstość mikropikseli | <1 knr <5 /cm2 | <10/cm2 | <50/cm2 | |
Obszar Poljlypc przez High-imcnsity Light | Nic | <10% | ||
Oprzeć się!wit), | > 1E7Hcm | (powierzchnia75%)>Le7D cm | ||
Grubość | 350,0 pm ± 25,0 jim lub 500,0±25.C pm | |||
TTV | S 22:00 | |||
Bou<wartość bezwzględna) | =40 po południu | |||
Osnowa | -18:00 | |||
Wykończenie powierzchni | C-focc: polerowany optycznie, Si-focc: CMP | |||
Roughncss(lC UmXIOu m) | CMP Si-bee Ra<C,5 nm | Nie dotyczy | ||
Pęknięcie przez światło o wysokiej intensywności* | Nic | |||
Edge Chips/Indcnts przez rozproszone oświetlenie | Nic | Qly<2, tbc długość i szerokość każdego V 1 mm | ||
Obszar efektywny | >90% | >8C% | Nie dotyczy | |
O firmie ZMKJ
ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości monokryształowy wafel SiC ( Silicon Carbide ) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego .Wafel SiC jest materiałem półprzewodnikowym nowej generacji o wyjątkowych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych , w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs , wafel SiC jest bardziej odpowiedni do zastosowań w urządzeniach wysokotemperaturowych io dużej mocy .Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, dostępne są zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowane azotem i półizolujące.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.
- Często zadawane pytania:
- P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?
- Odp .: (1) Akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.
- (2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i!
- Fracht zgodny z faktycznym rozliczeniem.
- P: Jak zapłacić?
- Odp .: Depozyt T / T 100% przed dostawą.
- P: Jakie jest twoje MOQ?
- Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 1 szt.jeśli 2-5 sztuk, to lepiej.
- (2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk.
- P: Jaki jest czas dostawy?
- Odp .: (1) W przypadku produktów standardowych
- W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.
- W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontaktu.
- P: Czy masz standardowe produkty?
- O: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.